FDA20N50-HXY_TO-3P_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:28A 參數2：電壓VDSS:500V 參數3：RDON:150mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數如下：漏極電流ID最大可達28A，漏源電壓VDSS為500V，導通電阻RDON為150mΩ。該器件具備較高的電流承載能力和良好的耐壓特性，適用于各類中高功率電子系統。其較低的導通電阻有助于減少導通損耗，提升整體能效。該MOSFET可應用于電源管理、開關電路、電機驅動及高頻變換器等場景，提供穩定可靠的電氣控制性能，滿足多樣化電路設計需求。
