NVATS5A302PLZT4G-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）的主要參數包括：最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至11mΩ。該器件具備大電流處理能力與較低的導通損耗，適用于多種中低壓功率應用場景。憑借其高效的開關特性和良好的熱穩定性，該MOSFET可廣泛用于電源轉換、負載開關、電池管理系統及直流電機控制等電路中，為系統提供快速響應和可靠的功率控制能力。
