FDA20N50F-HXY_TO-3P_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:28A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:150mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為28A，漏源擊穿電壓VDSS為500V，導(dǎo)通電阻RDON為150mΩ。該器件適用于需要高效開關(guān)性能的高功率場景，其低導(dǎo)通電阻有助于降低工作損耗，提高系統(tǒng)效率。憑借較高的電流和電壓耐受能力，該MOSFET可廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及高頻率電路設(shè)計(jì)等領(lǐng)域，為電路提供穩(wěn)定可靠的導(dǎo)通與截止控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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