IPL60R180P6AUMA1-HXY_DFN8X8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可承受最高10A的連續(xù)漏極電流（ID）。導(dǎo)通狀態(tài)下，其導(dǎo)通電阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。該器件適用于高頻率開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動電路及各類功率控制設(shè)備中，具備良好的熱穩(wěn)定性和響應(yīng)速度，適合對性能和可靠性有較高要求的電子設(shè)計(jì)方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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