IPL60R115CFD7-HXY_DFN8X8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:17A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備17A的漏極電流（ID）和650V的漏源耐壓（VDSS），適用于中高功率電源管理應用。導通電阻（RDON）為100mΩ，有助于降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。器件采用成熟穩(wěn)定的工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，可廣泛應用于開關(guān)電源、直流電機驅(qū)動、LED照明控制及各類中高電壓電子設備中，滿足多樣化電路設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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