IMW65R030M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能與高效的開關(guān)特性。其漏極電流ID可達(dá)49A，漏源電壓VDSS最高支持650V，導(dǎo)通電阻RDON低至33mΩ，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件基于碳化硅材料，具備良好的熱穩(wěn)定性和耐高壓能力，適合用于電源適配器、光伏逆變系統(tǒng)、儲(chǔ)能設(shè)備及高性能電機(jī)控制等領(lǐng)域的功率管理應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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