GAN140-650FBEZ-HXY_DFN5X6E-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:17A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:100mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和17A的額定漏極電流（ID），適用于高電壓和中等功率應(yīng)用場(chǎng)景。導(dǎo)通電阻（RDON）為100mΩ，可在開關(guān)過程中有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、照明驅(qū)動(dòng)及各類通用開關(guān)電路中，為電路設(shè)計(jì)提供高效、穩(wěn)定的性能支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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