NVHL040N65S3F-HXY_TO-247_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備高性能與高可靠性的特點，適用于多種電源管理及功率控制場合。其主要參數(shù)為：漏極電流ID為49A，漏源電壓VDSS為650V，導(dǎo)通電阻RDON低至33mΩ，能夠在較高電壓和電流條件下實現(xiàn)穩(wěn)定工作。器件設(shè)計優(yōu)化，支持高頻開關(guān)操作，廣泛用于電源轉(zhuǎn)換器、充電設(shè)備、儲能系統(tǒng)以及各類電子裝置中的功率控制單元，滿足高效能與低損耗的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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