DMTH6004SK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:130A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），具備130A的連續漏極電流（ID）與60V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高功率密度電路設計。導通電阻（RDON）低至3mΩ，有效降低導通損耗，提高系統整體效率。支持最高20V柵源電壓（VGS），保障器件在復雜工況下的穩定運行。該器件可廣泛應用于高性能電源、同步整流、電池管理及高效DC-DC轉換電路中，滿足對效率、可靠性要求較高的電子系統設計需求。
