IPD050N03LGATMA1_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N型場效應(yīng)管提供100A的電流承載能力和30V的工作電壓范圍，適用于多種非工業(yè)領(lǐng)域。其內(nèi)阻典型值低至3.8mΩ，顯著降低了導通狀態(tài)下的能耗。20V的VGS閾值電壓確保了在廣泛的應(yīng)用環(huán)境中都能實現(xiàn)可靠的開關(guān)性能。該元件適合用于消費電子產(chǎn)品的電源管理、高效能轉(zhuǎn)換電路以及其他要求高性能和低功耗的應(yīng)用場景中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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