IMW65R057M1HXKSA1_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計有29A的最大導(dǎo)通電流（ID/A），并在斷態(tài)下能承受高達(dá)650V的電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻（RDSON/mΩ）為60毫歐姆，在確保低能耗的同時，提供了高效的電流管理能力。柵源極間電壓（VGS/V）的最大容許值為15V，有助于精確控制器件的開關(guān)狀態(tài)。該MOSFET適用于高頻開關(guān)應(yīng)用及需高電壓處理能力的電力轉(zhuǎn)換解決方案中，如高性能的逆變技術(shù)和電源供應(yīng)單元，可增強(qiáng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和響應(yīng)速度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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