NVATS4A103PZT4G_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:9.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備出色的電氣性能，其最大漏極電流（ID/A）可達(dá)50A，最大漏源電壓（VDSS/V）為30V，導(dǎo)通電阻（RDON/mR）僅為9.5mΩ，且支持的最大柵源電壓（VGS/V）為20V。該元件適用于需要高效能開關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)合，如電源管理、電池保護(hù)電路以及各種便攜式電子設(shè)備中的信號(hào)處理等，能夠確保在高頻率和大電流條件下穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)降低能耗，提高系統(tǒng)效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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