C3M0075120J_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）專為高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有30A的連續(xù)漏極電流(ID)能力和1200V的漏源擊穿電壓(VDSS)，確保在高壓環(huán)境下表現(xiàn)出色。其低導(dǎo)通電阻(RDON)僅為75毫歐姆，有助于減少能量損耗，提高效率。該器件支持-4/!8V的柵源電壓(VGS)，適用于需要快速開(kāi)關(guān)和高效能的場(chǎng)合。憑借其卓越的熱穩(wěn)定性和耐用性，這款MOSFET非常適合用于構(gòu)建可靠且高效的電力電子系統(tǒng)，如電源轉(zhuǎn)換器和逆變器等設(shè)備中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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