HSI2309A_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有2A的漏極電流(ID)能力和60V的漏源擊穿電壓(VDSS)，適用于低壓應(yīng)用環(huán)境。其導通電阻(RDON)為160毫歐(mR)，保證了在導通狀態(tài)下的低能耗。柵源電壓(VGS)額定值為20V，確保了器件在各種操作條件下的穩(wěn)定性與可靠性。該MOSFET以其低導通電阻和快速開關(guān)特性，非常適合應(yīng)用于電池供電設(shè)備及需要高效電源管理的電路中，滿足對能效和空間布局有嚴格要求的設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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