HSTD46P4LLF6_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道MOSFET場效應管，擁有50A的連續(xù)漏極電流（ID）和40V的漏源極耐壓（VDSS），適合應用于需要大電流和中等電壓條件下的電路中。其極低的導通電阻（RDON）僅為10mΩ，有助于減少能量損耗，提高效率。支持±20V的柵源電壓（VGS），為設計者提供了廣泛的電壓操作范圍。該元件特別適用于要求高效能和低熱生成的設備，例如電源轉換器、電池管理系統(tǒng)以及各類便攜式電子設備中的開關應用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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