HDMC3025LDV7_DFN3X3B-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:16A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款場效應(yīng)管(MOSFET)采用NP溝道設(shè)計，能夠承載最大16安培的漏極電流(ID)，并支持最高30伏特的漏源電壓(VDSS)。其導(dǎo)通電阻僅為14毫歐姆(RDON)，確保了在工作狀態(tài)下的低能耗表現(xiàn)。該MOSFET的柵源電壓(VGS)為20伏特，適用于需要精確控制和高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場合，如消費電子產(chǎn)品中的電源管理、信號處理以及各種開關(guān)電路中，表現(xiàn)出色。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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