HSI2306BDST1E3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:28mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）為N溝道類型，具備5.8A的連續(xù)漏極電流（ID），可在最高30V（VDSS）的電壓下工作。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為28毫歐，在12V的柵源電壓（VGS）驅(qū)動(dòng)下能夠有效降低功耗。此MOSFET適用于設(shè)計(jì)要求高效能與低能耗的應(yīng)用場(chǎng)合，如便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理及信號(hào)開關(guān)等。其出色的電氣特性使其成為高性能電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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