HDMN601DWK7_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）設計有0.1A的額定電流，適用于低功率應用。其最大漏源電壓（VDSS）為60V，確保了在高壓環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。該MOSFET的導通電阻（RDSON）高達1300毫歐，表明它更適合用在對導通損耗不敏感的電路中。柵源電壓（VGS）的最大值為20V，提供了足夠的驅(qū)動范圍。此類MOSFET常應用于電子玩具、智能家居配件或小型電子裝置的信號處理與控制電路中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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