HFDD5810_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道MOSFET擁有30A的導(dǎo)通電流（ID/A），能夠承受60V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為22毫歐，在20V的柵源電壓（VGS/V）下工作。此MOSFET適用于各類電子裝置中的電源管理，例如在電池充電控制、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及便攜式電子產(chǎn)品的電源路徑管理中，它能夠提供可靠的開關(guān)性能。其低導(dǎo)通電阻有助于減少電力損耗，從而提高整體效率，并且在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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