AP30T10GH_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:35mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30A的連續(xù)漏極電流（ID/A）和100V的漏源擊穿電壓（VDSS/V），適用于多種高效率電源轉(zhuǎn)換和管理場(chǎng)景。其導(dǎo)通電阻僅為35mΩ（RDON/mR），確保了低損耗和高效能表現(xiàn)。該器件的最大柵源電壓（VGS/V）為20V，支持穩(wěn)定可靠的開關(guān)操作，適用于要求嚴(yán)苛的電路設(shè)計(jì)中，如開關(guān)電源、電池管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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