AP60AN1K3IT_TO-220F_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:860mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備10A的最大連續(xù)漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），確保了其在高電壓環(huán)境下的穩(wěn)定性能。該器件擁有860mΩ的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），在低功耗設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色，有助于提高整體效率。其柵源電壓（VGS）范圍為±30V，提供了寬泛的工作條件，適用于多種電路設(shè)計(jì)。此MOSFET適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制等需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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