AP60AN650IT_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:16A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:450mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET），擁有16A的最大漏極電流（ID）和650V的漏源極間擊穿電壓（VDSS），在30V柵源電壓（VGS）下工作時，其導通電阻（RDON）低至450毫歐。這些特性使其非常適合用于高效能的電源管理解決方案，如開關電源和電池管理系統中的快速切換和低損耗要求。其緊湊的設計和優秀的熱性能，確保了在密集型應用中也能保持良好的散熱效果，從而提升整體系統的穩定性和可靠性。
