AP3P020H_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備50A的連續(xù)漏極電流承載能力和30V的最大漏源電壓，導(dǎo)通電阻低至15mΩ，在20V的柵源電壓下工作性能優(yōu)異。它適合應(yīng)用于需要高效率與低熱耗散的電路中，例如電源管理模塊、開關(guān)模式電源以及各種需要精密控制的電子裝置內(nèi)。該器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低能量損失，提升整體系統(tǒng)的效能和穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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