AD90N03S_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:100A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道MOSFET具有連續(xù)漏極電流（ID）100A的能力，能夠支持大電流的應(yīng)用需求。其最大漏源電壓（VDS）為30V，確保了在不同電壓環(huán)境下的可靠性。該MOSFET的導(dǎo)通電阻（RDSON）低至3.8mΩ，有助于減少發(fā)熱并提高轉(zhuǎn)換效率。最大柵源電壓（VGS）為20V，增加了電路設(shè)計(jì)的靈活性。適用于多種電源轉(zhuǎn)換和控制場(chǎng)景，包括但不限于開(kāi)關(guān)電源、信號(hào)放大及保護(hù)電路等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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