BSC052N03LS_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道MOSFET具備出色的電氣特性，其最大漏極電流（ID）可達80A，最大漏源電壓（VDSS）為30V，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為4.7mΩ，在20V柵源電壓（VGS）下工作穩(wěn)定。該場效應(yīng)管適用于各種需要高效能轉(zhuǎn)換與控制的應(yīng)用場景，如電源管理、消費電子設(shè)備中的信號調(diào)節(jié)等，能夠提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)和較低的功耗，確保電路設(shè)計的靈活性與可靠性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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