RJK03M4DPA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備出色的電氣特性，適用于多種高要求的電路設計。其連續(xù)漏極電流ID可達90安培，最大漏源電壓VDSS為30伏特，確保了在廣泛的工作電壓范圍內穩(wěn)定運行。導通電阻RDON低至3.5毫歐，在高電流應用中可顯著減少功率損耗。柵源電壓VGS額定值為20伏特，提供了良好的驅動兼容性。該元件適合用于高效能開關電源、電信設備及消費類電子產(chǎn)品中的精密電流控制和快速切換操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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