STR2P3LLH6_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道MOSFET具備4.2A的漏極電流（ID），適合應(yīng)用于要求不高且穩(wěn)定的電流環(huán)境中。其最大漏源電壓（VDSS）為20V，能夠在常見(jiàn)的低壓系統(tǒng)中提供可靠的性能。導(dǎo)通電阻（RDSON）為48毫歐，有助于減少工作時(shí)的功率損耗。柵源電壓（VGS）的最大值為12V，提供了足夠的裕量以確保在不同驅(qū)動(dòng)條件下都能安全工作。適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)電路以及小型設(shè)備中的信號(hào)級(jí)應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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