STD20NF06LAG_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:20A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:27mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備20A的最大排水電流(ID),并在60V的漏源耐壓(VDSS)下穩(wěn)定運(yùn)行。其低至27mΩ的導(dǎo)通電阻(RDSON)在20V的柵源電壓(VGS)下提供了優(yōu)異的電流處理能力。這些特性使得該MOSFET適用于消費(fèi)電子產(chǎn)品中的高效直流轉(zhuǎn)換器、便攜式充電設(shè)備以及其他要求高效能、低能耗的電路設(shè)計中,確保了在日常使用環(huán)境下的可靠性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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