NP36P04SDG_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:10mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該P溝道場效應管具有50A的連續(xù)漏極電流(ID)能力和40V的漏源電壓(VDSS)，適用于需要高效能開關和放大電路的設計。其低至10mΩ的導通電阻(RDON)確保了在工作時減少能量損耗，而20V的柵源電壓(VGS)則提供了良好的驅動兼容性。這款MOSFET特別適合于要求高效率、緊湊尺寸以及穩(wěn)定性能的應用場景，如消費電子設備中的電源管理模塊等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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