BSC098N10NS5ATMA1_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:80A 參數(shù)2:電壓VDSS:100V 參數(shù)3:RDON:6.4mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)擁有80A的最大漏極電流(ID),支持高達(dá)100V的漏源電壓(VDSS)。其導(dǎo)通電阻(RDSON)為6.4毫歐,在20V的柵源電壓(VGS)下操作,適合用于需要高效電力轉(zhuǎn)換的應(yīng)用中。此MOSFET適用于各種電源管理解決方案,例如在消費(fèi)電子產(chǎn)品的開關(guān)模式電源(SMPS)中作為功率級(jí)元件,或是在便攜設(shè)備中充當(dāng)負(fù)載開關(guān),確保了電路的可靠性和效率。其優(yōu)良的電氣特性使其成為設(shè)計(jì)緊湊型高性能電子裝置的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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