SISH101DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:70A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為P溝道增強型場效應管（MOSFET），具有良好的導通特性和穩(wěn)定的開關(guān)表現(xiàn)。其漏極電流ID可達70A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON為6.5mΩ，柵源電壓VGS最大支持20V。適用于電源管理、電池供電設備、直流-直流轉(zhuǎn)換器及負載開關(guān)等電路設計，具備高可靠性和低功耗特性，助力提升整體系統(tǒng)效率與性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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