SC102N170T8L_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備N溝道結(jié)構(gòu)，最大工作電流ID/A達(dá)到5A，能夠承受的最大漏源電壓VDSS/V為1700V。導(dǎo)通電阻RDSON/mΩ為1000毫歐，確保了在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗較低。柵源電壓VGS/V的最大絕對(duì)值為20V，適用于要求高耐壓和高效能的電路設(shè)計(jì)中，特別是在需要高頻開(kāi)關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)景下，該MOSFET可以提供優(yōu)越的性能表現(xiàn)。其材料特性賦予了更好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適合用于要求嚴(yán)苛的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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