NVH4L080N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:32A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的最大導(dǎo)通電流（ID）為32A，適用于高密度功率應(yīng)用場(chǎng)合。器件擁有高達(dá)1200V的漏源電壓（VDSS），能夠確保在高壓條件下依然保持穩(wěn)定性能。導(dǎo)通電阻（RDSON）為75毫歐，有助于減少能量損耗，提升系統(tǒng)的整體效率。柵源電壓（VGS）的最大值為15V，確保了良好的開(kāi)關(guān)控制特性。該MOSFET憑借其優(yōu)異的電氣特性，適用于各種需要耐高壓和低損耗的高頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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