IMBF170R1K0M1XTMA1_TO-263-7L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:700mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計用于高壓應(yīng)用，具備6安培（ID）的最大電流承載能力和1700伏特（VDSS）的阻斷電壓。其導(dǎo)通狀態(tài)下的電阻（RDSON）為700毫歐，適合于需要高電壓隔離和低導(dǎo)通損耗的場合。工作柵源電壓（VGS）的范圍從-4伏特到!8伏特，提供了寬泛的驅(qū)動兼容性。該器件特別適用于需要高電壓穩(wěn)定性及高頻操作的電力轉(zhuǎn)換解決方案中，如電信設(shè)備的電源管理或消費電子產(chǎn)品中的高壓處理單元。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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