IMZ120R140M1H_TO-247H-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:19A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該款碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）采用N溝道設(shè)計(jì)，具備19A的最大導(dǎo)通電流（ID）以及高達(dá)1200V的漏源電壓（VDSS），適用于要求嚴(yán)苛的高電壓應(yīng)用環(huán)境。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為160毫歐，在大電流通過(guò)時(shí)能有效降低功耗。柵源電壓（VGS）最高可達(dá)20V，確保了良好的驅(qū)動(dòng)兼容性和控制精度。此類器件適用于各類精密電子設(shè)備中的高效能電力管理模塊，如不間斷電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變裝置中的功率調(diào)節(jié)與轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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