HXY30G25DF_DFN3X3B-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3B-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:25A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
【HXY30G25DF 場效應管(MOSFET)】采用DFN3X3-8L封裝，支持25A的最大漏極電流和30V的漏源電壓，導通電阻低至12mΩ。此N溝道MOSFET在20V柵源電壓下具有優異的開關特性和低損耗，適用于各種電源管理和信號處理電路，確保電路的高效與穩定運行。
