HXY6005MI_SOT-23-3L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
HXY6005MI 場效應(yīng)管 (MOSFET)，采用 SOT-23-3L 封裝，提供 5A 的連續(xù)漏極電流 (ID) 和 60V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。具備 40mΩ 的導(dǎo)通電阻 (RDON)，有助于降低能耗，提高效率。支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS)，確保在不同電路條件下的穩(wěn)定性和可靠性。N 溝道設(shè)計(jì)，適用于多種開關(guān)控制和電路保護(hù)應(yīng)用。選擇 HXY6005MI，為您的項(xiàng)目提供高效能保障。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
