FQD2N60CTM_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2A 參數(shù)2：電壓VDSS:600V 參數(shù)3：RDON:3700mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有2A的連續(xù)電流承載能力，最大漏源電壓（VDSS）可達600V，展現(xiàn)了其在高壓環(huán)境下的可靠性。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為3700毫歐，在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠有效減少能量損耗。該MOSFET的柵源電壓（VGS）最大為±30V，提供了良好的驅(qū)動兼容性。適用于多種通用電子設(shè)備中的電源管理和信號處理應(yīng)用，如便攜式電子產(chǎn)品、消費類電器及通信設(shè)備中，能夠?qū)崿F(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換與控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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