HXY80N06BD_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
HXY80N06BD 場效應管 (MOSFET)，采用 TO-252-2L 封裝，提供 80A 的連續漏極電流 (ID) 和 60V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其導通電阻 (RDON) 低至 6.5mΩ，有效減少熱量產生，提高工作效率?！?0V 的柵源電壓 (VGS) 范圍，確保在多種電路配置中穩定運行。N 溝道設計，適用于廣泛的電路保護和開關控制應用。選擇 HXY80N06BD，為您的項目增添高性能保障。
