NVMFD5853NLA_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:55A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
NVMFD5853NLA 場效應管 (MOSFET)，采用先進的 DFN5X6-8L 封裝，具備 55A 的連續漏極電流 (ID) 和 40V 的漏源極擊穿電壓 (VDSS)。其低至 6.5mΩ 的導通電阻 (RDON) 極大地降低了功耗，提高了轉換效率。±20V 的柵源電壓 (VGS) 范圍，確保了在多種電路配置下的兼容性和穩定性。NVMFD5853NLA 是追求高效能和小尺寸設計的理想選擇。
