HXY20P09MI_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:9A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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【HXY20P09MI 場(chǎng)效應(yīng)管】采用SOT-23-3L封裝，提供高效能的開關(guān)解決方案。該MOSFET最大漏極電流達(dá)9A，擊穿電壓為20V，導(dǎo)通電阻僅為13mΩ，確保了低損耗與高穩(wěn)定性。其柵極閾值電壓為12V，適用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景，如電源管理及信號(hào)處理等。類型為P溝道，適合多種電路設(shè)計(jì)需求。選購(gòu)HXY20P09MI，體驗(yàn)卓越性能與可靠性的完美結(jié)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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