RGS00TS65HRC11-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT管/模塊具備50A集電極電流（Ic）與650V集射極擊穿電壓（Vces），滿足高耐壓與大電流工作需求。導(dǎo)通時(shí)集射極飽和電壓（VCE(sat)）低至1.6V，顯著降低功率損耗。內(nèi)部集成續(xù)流二極管，支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，提升系統(tǒng)能效。適用于各類高效功率轉(zhuǎn)換裝置，如智能電源管理系統(tǒng)、高性能電機(jī)控制電路及可再生能源變換設(shè)備，提供穩(wěn)定、可靠的電氣性能和良好的熱穩(wěn)定性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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