AIGW50N65H5-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:50A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備50A集電極電流（Ic）與650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中高功率電力轉換場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導通損耗，提升整體能效。內置二極管可支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現出良好的續流能力與熱穩定性。模塊結構設計優化，兼顧性能與可靠性，廣泛應用于高效電源系統及先進電力電子設備中。
