FGH40T65SHD-F155-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:650V 參數3：VCE(Sat):1.6V 參數4：二極管正向電流:1.8A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款IGBT管/模塊具備40A的集電極電流（Ic）與650V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于多種中高功率電能轉換場景。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有效降低導通損耗，提升整體效率。內部集成二極管可支持40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.8V，表現出良好的開關性能和熱穩定性。該器件可廣泛應用于電源變換、電機控制、儲能系統及智能電力基礎設施等領域，提供高效、可靠的半導體解決方案。
