IKW40N120H3-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:40A 參數(shù)2：電壓VCE:1200V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.7V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT管/模塊具備40A集電極電流（Ic）和1200V集射極擊穿電壓（Vces），支持高耐壓與大電流工作環(huán)境。導(dǎo)通狀態(tài)下，集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.7V，有效降低損耗并提升效率。內(nèi)部集成二極管正向電流（IF）達(dá)40A，正向壓降（Vf）為1.85V，具備良好的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性。該器件適用于各類高效能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、智能電網(wǎng)設(shè)備及新能源控制裝置中的高頻功率切換應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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