SGT50T65FD1P7_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本IGBT管/模塊具備50A集電極電流（Ic）和650V集射極擊穿電壓（Vces），適用于中高功率電力電子系統(tǒng)。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.6V，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升能效。內(nèi)置二極管可支持50A正向電流（IF），正向壓降（Vf）為1.85V，表現(xiàn)出良好的導(dǎo)通特性和熱穩(wěn)定性。該器件適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制及高效能電子設(shè)備中，滿足對(duì)性能與可靠性的高標(biāo)準(zhǔn)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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