IRG8P50N120KD-EPBF-HXY_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.7V 參數4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具有40A的集電極電流(Ic)和1200V的集射極擊穿電壓(Vces)，可適應較高功率密度的應用需求。其集射極飽和電壓(VCE(sat))低至1.7V，有效減少導通狀態下的功率損耗。內部二極管支持40A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，進一步提升系統整體效率。該模塊適合應用于高效能電力轉換系統，如智能能源管理、可再生能源接入以及高精度電源控制等領域。
