AOK50B65H1_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流IC:50A 參數(shù)2：電壓VCE:650V 參數(shù)3：VCE(Sat):1.6V 參數(shù)4：二極管正向電流:1.85A 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該IGBT模塊具有50A的集電極電流(Ic)和650V的集射極擊穿電壓(Vces)，適用于中高功率場合。其集射極飽和電壓(VCE(sat))為1.6V，有助于降低導通損耗。內(nèi)置二極管可承受50A的正向電流(IF)，正向壓降(Vf)為1.85V，具備良好的電流承載能力和熱穩(wěn)定性。模塊采用標準封裝形式，便于安裝與散熱，適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制及電力調(diào)節(jié)等應用場景，提供可靠且高效的電力電子解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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