SPT40N120F1C_TO-247_IGBT管/模塊_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：IGBT管/模塊 最小包裝：30/管裝 參數1：電流IC:40A 參數2：電壓VCE:1200V 參數3：VCE(Sat):1.9V 參數4：二極管正向電流:2.5A 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該IGBT模塊具備40A的集電極電流（Ic）和1200V的集射極擊穿電壓（Vces），適用于高耐壓與中功率應用場合。其集射極飽和電壓（VCE(sat)）為1.9V，在保證性能的同時支持穩(wěn)定開關操作。內置二極管可承受40A的正向電流（IF），正向壓降（Vf）為2.5V，具備良好的續(xù)流特性。模塊采用通用封裝設計，兼顧散熱性能與安裝便利性，適合用于電源轉換、電機控制及智能電網等高頻電路中的高效能需求場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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