MSC025SMA120B4_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）基于碳化硅材料打造，具有出色的耐高壓與導熱性能，適合高頻率、高效率的功率應用環境。主要參數包括：最大漏極電流（ID）為80A，漏源擊穿電壓（VDSS）達1200V，導通電阻（RDON）低至25mΩ，器件類型為N溝道結構。該器件在高功率密度和高溫工作條件下表現出良好的穩定性和較低的能量損耗，適用于高效電源轉換、可再生能源系統、智能電網設備以及其他對性能要求較高的電力電子裝置。
